onsemi NXH600B100H4Q2F2SG - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH600B100H4Q2F2SG

МАССОВЫЙ РЫНОК GEN3 Q2BOOST

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH600B100H4Q2F2SG
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 36
  • Артикул: NXH600B100H4Q2F2SG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $275,6300

Дополнительная цена:$275,6300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Трехуровневый инвертор
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1000 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 192 А
Мощность - Макс. 511 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,3 В @ 15 В, 200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 13 256 нФ при 20 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 44-ПИМ (93х47)
Базовый номер продукта НХХ600
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH600B100H4Q2F2SG
Стандартный пакет 36
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехуровневый инвертор 1000 В 192 А 511 Вт Монтаж на шасси 44-PIM (93x47)