onsemi NXH80B120H2Q0SNG - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH80B120H2Q0SNG

СИЛОВОЙ МОДУЛЬ ПИМ

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH80B120H2Q0SNG
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5817
  • Артикул: NXH80B120H2Q0SNG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Конфигурация Чоппер с наклоном наддувом
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 41 А
Мощность - Макс. 103 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,5 В при 15 В, 40 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 200 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 9,7 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 22-ПИМ/Q0BOOST (55x32,5)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH80B120H2Q0SNG
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT с повышающим прерывателем 1200 В, 41 А, 103 Вт, монтаж на шасси 22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)