onsemi NXH80T120L3Q0S3G - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH80T120L3Q0S3G

ПИМ ПОКОЛЕНИЯ 3 Q0PACK 1200 В, 80

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH80T120L3Q0S3G
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1864 г.
  • Артикул: NXH80T120L3Q0S3G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $80.2900

Дополнительная цена:$80.2900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 75 А
Мощность - Макс. 188 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,4 В @ 15 В, 80 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 300 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 18,15 нФ при 20 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 20-PIM/Q0PACK (55x32,5)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH80T120L3Q0S3G
Стандартный пакет 24
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумость 1200 В 75 А 188 Вт Монтаж на шасси 20-PIM/Q0PACK (55x32,5)