онсеми NXV08B800DT1

Производитель: онсеми
Номер производителя: онсеми NXV08B800DT1
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4738
Артикул: NXV08B800DT1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	онсеми
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	80В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	-
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	0,46 мОм при 160 А, 12 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4,6 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	502 НК при 12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	30150пФ при 40В
Мощность - Макс.	-
Рабочая температура	-40°С ~ 125°С (ТА)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	Модуль 17-PowerDIP (1390 дюймов, 35,30 мм)
Поставщик пакета оборудования	АПМ17-МДЦ
Базовый номер продукта	NXV08
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.39.0001
Другие имена	488-NXV08B800DT1
Стандартный пакет	1

Массив мосфетов 80 В, сквозное отверстие APM17-MDC