| Параметры |
| Производитель | ОСИ Оптоэлектроника, Инк. |
| Ряд | Многоэлементный массив |
| Упаковка | Случай |
| Статус продукта | Активный |
| Длина волны | - |
| Цвет — улучшенный | - |
| Спектральный диапазон | - |
| Тип диода | Плоская диффузия |
| Чувствительность @ нм | 0,65 А/Вт при 970 нм |
| Время ответа | - |
| Текущий — Темный (тип.) | 50пА |
| Активная область | 3,9 мм² |
| Угол обзора | - |
| Рабочая температура | -30°С ~ 85°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | Массив — 35 элементов |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.49.1050 |
| Стандартный пакет | 10 |
Фотодиодная матрица – 35 элементов