Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,11 ~ 2,17 гг. |
Прирост | 17,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,35 а |
Питани - В.О. | 44 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-957A |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780H-2L |
Baзowый nomer prodikta | MRF7 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодадж | 50 |
RF MOSFET 28 V 1,35 A 2,11 ГГА ~ 2,17 ГГА 17,5 ДБ 44W NI-780H-2L