| Параметры |
| Производитель | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 32М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 700 пс |
| Напряжение питания | 2,3 В ~ 2,7 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 66-ЦОП II |
| Базовый номер продукта | NDD56PT6 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — ИС память DDR, 512 Мбит, параллельная, 200 МГц, 700 пс, 66-TSOP II