| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | Траншейная полевая остановка |
| Конфигурация | Одинокий |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 1200 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 610 А |
| Мощность - Макс. | 2307 Вт |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,2 В @ 15 В, 400 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 4 мА |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 24,6 нФ при 25 В |
| Вход | Стандартный |
| НТЦ Термистор | Нет |
| Рабочая температура | -40°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | СП6 |
| Поставщик пакета оборудования | СП6 |
| Базовый номер продукта | АПТГЛ475 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Модуль IGBT Trench Field Stop, одиночный, 1200 В, 610 А, 2307 Вт, крепление на шасси SP6