Технология микрочипа APTGF50VDA60T3G

АПТГФ50ВДА60Т3Г

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APTGF50VDA60T3G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6965
Артикул: АПТГФ50ВДА60Т3Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	ДНЯО
Конфигурация	Чоппер с наклоном наддувом
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	65 А
Мощность - Макс.	250 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,45 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	2,2 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	SP3
Поставщик пакета оборудования	SP3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT NPT, двойной повышающий прерыватель, 600 В, 65 А, 250 Вт, монтаж на шасси SP3