Парметр | |
---|---|
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 9 часов |
Rds on (max) @ id, vgs | 21mohm @ 8a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,4 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 18NC @ 10V |
Взёр. | 888pf @ 15v |
Синла - МАКС | 3,1 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (3x3) |
Baзowый nomer prodikta | AON780 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |