| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 2Мбит |
| Организация | 128 КБ х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 105°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-ЦОП2 |
| Базовый номер продукта | МР1А16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 135 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 2 Мбит, параллельный 35 нс 44-TSOP2