Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1,99 -е |
Прирост | 18 дБ |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 750 май |
Питани - В.О. | 24 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | Ni-780S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780S |
Baзowый nomer prodikta | MRF7 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935319237128 |
Станодадж | 250 |
RF MOSFET 28 V 750-мам 1,99 ggц 18db 24W Ni-780S