| Параметры |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — синхронный, DDR IIP |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 512К х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,71 В ~ 1,89 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ЛФБГА (15х17) |
| Базовый номер продукта | IS61DDPB451236 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0002 |
| Стандартный пакет | 105 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
SRAM — синхронная, микросхема памяти DDR IIP, 18 Мбит, параллельная, 400 МГц, 165-LFBGA (15x17)