Issi, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2I-TR
IS61NLP25636A-200B2I-TR
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2I-TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9453
- Sku: IS61NLP25636A-200B2I-TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Synchronous, SDR |
| Raзmerpmayti | 9 марта |
| Органихая | 256K x 36 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 200 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 3.1 м |
| Napraheneee - posta | 3.135V ~ 3.465V |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 119-BBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 119-pbga (14x22) |
| Baзowый nomer prodikta | IS61NLP25636 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодар | 1000 |
SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9MBIT PARALLEL 200 MMGц 3,1 мл. 119 -PBGA (14x22)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p