| Параметры |
| ХТСУС | 8542.32.0002 |
| Стандартный пакет | 135 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | ДРАМ - ЭДО |
| Размер | 4Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 18 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм), 40 выводов |
| Поставщик пакета оборудования | 40-ЦОП |
| Базовый номер продукта | IS41LV16256 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
DRAM — ИС память EDO, 4 Мбит, параллельный, 18 нс, 40-TSOP