| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | РЛДРАМ 2 |
| Размер | 288 Мбит |
| Организация | 16М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 300 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 20 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 144-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 144-TWBGA (11х18,5) |
| Базовый номер продукта | IS49NLC18160 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Стандартный пакет | 104 |
Память RLDRAM 2 ИС, 288 Мбит, параллельный, 300 МГц, 20 нс, 144-TWBGA (11x18,5)