Issi, Ингрированано Кремни.
IS43R16800E-6TLI
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, Ингрированано Кремни.
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 4638
- Sku: IS43R16800E-6TLI
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR |
| Raзmerpmayti | 128 мб |
| Органихая | 8m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верный | 12NS |
| Вернее | 700 с |
| Napraheneee - posta | 2,3 В ~ 2,7 В. |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 66-tsop II |
| Baзowый nomer prodikta | IS43R16800 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0002 |
| Станодар | 108 |
SDRAM - DDR Memime IC 128MBIT PARALLEL 166 MMGц 700 PS 66 -TSOP II
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p