| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Производство постоянно в Digi-Key |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM – мобильная версия |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 16М х 32 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 133 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 5,4 нс |
| Напряжение питания | 2,3 В ~ 3 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 90-ЛФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 90-ШБГА (8х13) |
| Базовый номер продукта | ИС42РМ32160 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Стандартный пакет | 240 |
SDRAM — микросхема мобильной памяти, 512 Мбит, параллельная, 133 МГц, 5,4 нс, 90-WBGA (8x13)