NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Производитель: NXP США Инк.
Номер производителя: NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9405
Артикул: А2Т23Х200В23СР6
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	NXP США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	ЛДМОС
Частота	2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц
Прирост	15,5 дБ
Напряжение – Тест	28 В
Текущий рейтинг (А)	10 мкА
Коэффициент шума	-
Текущий — Тест	500 мА
Мощность — Выход	51 Вт
Напряжение - номинальное	65 В
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	АКП-1230С-4Л2С
Поставщик пакета оборудования	АКП-1230С-4Л2С
Базовый номер продукта	А2Т23
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Непригодный
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0075
Стандартный пакет	150

RF Mosfet 28 В 500 мА 2,3–2,4 ГГц 15,5 дБ 51 Вт ACP-1230S-4L2S