Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,3 Гер |
Прирост | 15,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 500 май |
Питани - В.О. | 51 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | ACP-1230S-4L2S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ACP-1230S-4L2S |
Baзowый nomer prodikta | A2T23 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодадж | 150 |