| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Ixys |
| В припании | - |
| Упако | Поджос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП | Igbt |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| ТЕКУИГИГ | 10 а |
| Naprayeseee | 15 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 4000 В |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| Baзowый nomer prodikta | Ixidm140 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Дрогин ИНЕНА | Ixidm1401 1515 м |
| Станодадж | 1 |
Модулбпитания Igbt Half Bridge 15 V 10 A модуль
Болх
- Infineon Technologies Iramx16up60a
- Infineon Technologies Irams10up60a
- Infineon Technologies Irams06up60b
- Infineon Technologies Irams10up60b
- Infineon Technologies Irams06up60a
- Vishay General Semiconductor -Diodes Division EMP15P12D
- OnSemi FCAS50SN60
- ONSEMI FSAM10SH60A
- ONSEMI FSAM10SM60A
- ONSEMI FSAM15SH60A
- ONSEMI FSAM15SL60
- ONSEMI FSAM15SM60A
- ONSEMI FSAM20SH60A
- ONSEMI FSAM20SL60
- ONSEMI FSAM20SM60A