PN Junction Semiconductor P3D06006G2
Diode Sil Carb 650V 21a Do 263-2
- Проиджоделх: PN Junction Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: PN Junction Semiconductor P3D06006G2
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7170
- Sku: P3D06006G2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | PN Junction Semiconductor |
| В припании | P3d |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 21А |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 30 мк @ 650 |
| PakeT / KORPUES | 263-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 263-2 |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 4237-P3D06006G2TR |
| Станодадж | 1 |
DIOD 650 PROTIV 21A DO 263-2