product_banner

PN Junction Semiconductor P3D12010G2

Полупроводниковый переход PN P3D12010G2

ДИОД SIL CARB 1.2КВ 33А ТО263-2

Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P3D12010G2
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9435
Артикул: P3D12010G2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $6.5400

Дополнительная цена:$6.5400

Подробности

Теги

Параметры
Стандартный пакет	1
Производитель	Полупроводниковый ПН-переход
Ряд	П3Д
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	33А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 650 В
Пакет/ключи	ТО-263-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-263-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	Затронуто REACH
Другие имена	4237-П3Д12010Г2ТР

Диод 1200 В 33А ТО-263-2

Больше продуктов