PN Junction Semiconductor P3D12010G2
Диодная карбюрация 1,2KV 33A до 263-2
- Проиджоделх: PN Junction Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: PN Junction Semiconductor P3D12010G2
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9435
- Sku: P3D12010G2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Станодар | 1 |
| Манера | PN Junction Semiconductor |
| В припании | P3d |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 1200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 33а |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 50 мк. |
| PakeT / KORPUES | 263-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 263-2 |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 4237-P3D12010G2TR |
Диди 1200- 33А 263-2