PN Junction Semiconductor P3M06060K4
Sicfet n-ch 650v 48a do 247-4
- Проиджоделх: PN Junction Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: PN Junction Semiconductor P3M06060K4
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8581
- Sku: P3M06060K4
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | PN Junction Semiconductor |
| В припании | P3m |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | Sicfet (kremniewый karbid) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 48. |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 15 |
| Rds on (max) @ id, vgs | 79mohm @ 20a, 15v |
| Vgs (th) (max) @ id | 2.4V @ 5ma (typ) |
| Vgs (mmaks) | +20, -8 В. |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 188 Вт |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Дол. 247-4L |
| PakeT / KORPUES | 247-4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 4237-P3M06060K4 |
| Станодар | 1 |
N-kanol 650-48a 188w чereз otwerstie do 247-4l
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740