PN Junction Semiconductor P3M06120K4 — PN Junction Semiconductor FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводниковый переход PN P3M06120K4

SICFET Н-Ч 650В 27А ТО-247-4

  • Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
  • Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P3M06120K4
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9942
  • Артикул: P3M06120K4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.0500

Дополнительная цена:$9.0500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводниковый ПН-переход
Ряд П3М
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 158 мОм при 10 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В при 5 мА
ВГС (Макс) +20В, -8В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 131 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4Л
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH Затронуто REACH
Другие имена 4237-П3М06120К4
Стандартный пакет 1
N-канал 650 В 27 А 131 Вт сквозное отверстие ТО-247-4Л