Парметр |
Млн | PN Junction Semiconductor |
В припании | P3m |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | Sicfet (kremniewый karbid) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 9 часов |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 15 |
Rds on (max) @ id, vgs | 500mhom @ 4,5a, 15 |
Vgs (th) (max) @ id | 2.2V @ 5ma (typ) |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 904 NC @ 15 V |
Vgs (mmaks) | +20, -8 В. |
Взёр. | 338 PF @ 400 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 38 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-247-3L |
PakeT / KORPUES | 247-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 4237-P3M06300K3 |
Станодар | 1 |
N-kanal 650-9а 38 wereз otwerstie odo 247-3L