PN Junction Semiconductor P3M12017K4 - Полупроводниковые полевые транзисторы с PN переходом, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводниковый переход PN P3M12017K4

SICFET Н-Ч 1200В 151А ТО-247-4

  • Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
  • Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P3M12017K4
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9591
  • Артикул: П3М12017К4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $39.7500

Дополнительная цена:$39.7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводниковый ПН-переход
Ряд П3М
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 151А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 75 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 75 мА (тип.)
ВГС (Макс) +25В, -10В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 789 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4Л
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH Затронуто REACH
Другие имена 4237-П3М12017К4
Стандартный пакет 1
Н-канал, 1200 В, 151 А, 789 Вт, сквозное отверстие ТО-247-4Л