Парметр | |
---|---|
Млн | PN Junction Semiconductor |
В припании | P3m |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | Sicfet (kremniewый karbid) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 1700 В. |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 73а |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 15 |
Rds on (max) @ id, vgs | 60mohm @ 50a, 15 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2.2v @ 50ma (typ) |
Vgs (mmaks) | +19, -8 В. |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 536 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-247-3L |
PakeT / KORPUES | 247-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 4237-P3M17040K3 |
Станодар | 1 |