Полупроводниковый переход PN P3M171K0G7

SICFET Н-Ч 1700В 7А ТО-263-7

Производитель: Полупроводниковый ПН-переход
Номер производителя: Полупроводниковый переход PN P3M171K0G7
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2084
Артикул: П3М171К0Г7
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.1000

Дополнительная цена:$6.1000

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводниковый ПН-переход
Ряд	П3М
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	7А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	1,4 Ом при 2 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,2 В @ 2 мА (тип.)
ВГС (Макс)	+19В, -8В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100 Вт
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Д2ПАК-7
Пакет/ключи	ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	4237-П3М171К0Г7
Стандартный пакет	1

Н-канальный, 1700 В, 7 А, 100 Вт, для поверхностного монтажа D2PAK-7