| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 2,45 ГОГ |
| Прирост | 18,6db |
| В конце | 32 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 110 май |
| Питани - В.О. | 12,5 |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 16-vdfn oftkrыtaiNavaIn-o |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 16-dfn (4x6) |
| Baзowый nomer prodikta | MHT11 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 935337042515 |
| Станодар | 1000 |
RF MOSFET 32 V 110 Ма 2,45 ГГГ 18,6db 12,5 т 16-DFN (4x6)
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740