Парметр |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-780G-4L |
Baзowый nomer prodikta | MRF8VP13350 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935316089578 |
Станодар | 50 |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Активна |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 700 мг ~ 1,3 -е. |
Прирост | 19.2db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 350 Вт |
Napraheneee - оинка | 100 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | OM-780G-4L |
RF MOSFET 50- 100 мам 700 мг ~ 1,3-е. 19,2DB 350W OM-780G-4L