| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 700 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 65А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 44 мОм при 30 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,7 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 99 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +23В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2010 пФ при 700 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 206 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Д3ПАК |
| Пакет/ключи | ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА |
| Базовый номер продукта | MSC035 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 60 |
N-канальный 700 В 65 А (Tc) 206 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D3PAK