| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 700 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 110А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 45 мОм при 60 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,4 В при 1 мА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 220 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +25В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3950 пФ при 700 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 556 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-3 |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Н-канал 700 В 110 А (Тс) 556 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3