| Параметры |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0002 |
| Стандартный пакет | 108 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM |
| Размер | 128Мбит |
| Организация | 4М х 32 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 166 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 5,4 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 86-ЦОП II |
| Базовый номер продукта | ИС42С32400 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
ИС память SDRAM 128 Мбит, параллельная, 166 МГц, 5,4 нс, 86-TSOP II