Rectron USA 2N7002KD1 - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США 2N7002KD1

МОП-транзистор N-CH 60 В 350 мА DFN1006-3

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США 2N7002KD1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7425
  • Артикул: 2Н7002КД1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0300

Дополнительная цена:$0,0300

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования DFN1006-3
Пакет/ключи СК-101, СОТ-883
Базовый номер продукта 2N7002
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-2Н7002КД1ТР
Стандартный пакет 30 000
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 350 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 5В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,8 Ом при 200 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,9 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 350 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
N-канальный 60 В 350 мА (Ta) 350 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа DFN1006-3