Rectron USA RM12N650LD - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM12N650LD

МОП-транзистор Н-Ч 650 В 11,5 А ТО252-2

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM12N650LD
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5347
  • Артикул: RM12N650LD
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5400

Дополнительная цена:$0,5400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 360 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 870 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 101 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252-2
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ12Н650ЛДТР
Стандартный пакет 25 000
Н-канал 650 В 11,5 А (Tc) 101 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252-2