Rectron USA RM12N650TI - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM12N650TI

МОП-транзистор N-CH 650 В 11,5 А TO220F

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM12N650TI
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7576
  • Артикул: RM12N650TI
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6700

Дополнительная цена:$0,6700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 360 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 870 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 32,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ12Н650ТИ
Стандартный пакет 5000
Н-канал 650 В 11,5 А (Tc) 32,6 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220Ф