Rectron USA RM210N75HD - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM210N75HD

МОП-транзистор Н-Ч 75В 210А ТО263-2

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM210N75HD
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1685 г.
  • Артикул: RM210N75HD
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9200

Дополнительная цена:$0,9200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 75 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 210А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 мОм при 40 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11000 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 330 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ210Н75ХДТР
Стандартный пакет 8000
Н-канал 75 В 210 А (Тс) 330 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ТО-263-2