Rectron USA RM35N30DF - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM35N30DF

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 30В 35А 8DFN

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM35N30DF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2909
  • Артикул: РМ35Н30ДФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2700

Дополнительная цена:$0,2700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7 МОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2330 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 40 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (5х6)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ35Н30ДФТР
Стандартный пакет 40 000
N-канал 30 В 35 А (Tc) 40 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (5х6)