Rectron USA RM4N650T2 — Rectron USA FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM4N650T2

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В 4А ТО220-3

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM4N650T2
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4308
  • Артикул: RM4N650T2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4500

Дополнительная цена:$0,4500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,2 Ом @ 2,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 280 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 46 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220-3
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ4Н650Т2
Стандартный пакет 5000
Н-канал 650 В 4 А (Тс) 46 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220-3