Rectron USA RM80N30DN - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM80N30DN

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 30В 80А 8ППАК

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM80N30DN
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9031
  • Артикул: RM80N30DN
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2900

Дополнительная цена:$0,2900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,8 мОм при 24 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3190 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 66 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ППАК (3х3)
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМ80Н30ДНТР
Стандартный пакет 25 000
Н-канальный 30 В 80 А (Tc) 66 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-ППАК (3x3)