Rectron USA RM8N650HD - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RM8N650HD

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В 8А ТО263-2

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RM8N650HD
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4870
  • Артикул: RM8N650HD
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5200

Дополнительная цена:$0,5200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 450 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 680 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 80 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-RM8N650HDTR
Стандартный пакет 8000
Н-канал 650 В 8А (Тс) 80 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ТО-263-2