Ректрон США RM8N650TI

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В 8А ТО220Ф

Производитель: Ректрон США
Номер производителя: Ректрон США RM8N650TI
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8232
Артикул: RM8N650TI
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5200

Дополнительная цена:$0,5200

Подробности

Параметры
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	680 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	31,7 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220Ф
Пакет/ключи	ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	2516-РМ8Н650ТИ
Стандартный пакет	5000
Производитель	Ректрон США
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	8А (Тдж)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	450 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,5 В при 250 мкА

Н-канал 650 В 8А (Tj) 31,7 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220Ф