Rectron USA RMD1N25ES9 - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RMD1N25ES9

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 25 В 1,1 А SOT363

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RMD1N25ES9
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4740
  • Артикул: РМД1Н25ЕС9
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0600

Дополнительная цена:$0,0600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,1 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 600 мОм при 500 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,1 В @ 250 мкА
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 30 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 800 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-363-6Л
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМД1Н25ЭС9ТР
Стандартный пакет 30 000
Н-канал 25 В 1,1 А (Та) 800 мВт (Та) для поверхностного монтажа СОТ-363-6Л