Rectron USA RMD7N40DN - Rectron USA FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ректрон США RMD7N40DN

МОП-транзистор 2 Н-СН 40 В 7 А/20 А 8-DFN

  • Производитель: Ректрон США
  • Номер производителя: Ректрон США RMD7N40DN
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8358
  • Артикул: РМД7Н40ДН
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2400

Дополнительная цена:$0,2400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ректрон США
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7А (Та), 20А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 720пФ при 20В
Мощность - Макс. 1,9 Вт (Та), 12 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3х3)
Базовый номер продукта РМД7Н
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 2516-РМД7Н40ДНТР
Стандартный пакет 25 000
Массив МОП-транзисторов 40 В, 7 А (Ta), 20 А (Tc) 1,9 Вт (Ta), 12 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (3х3)