Renesas Electronics America Inc KGF16N05D-400W

KGF16N05D-400W

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Renesas Electronics America Inc
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Управо
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	5,5 В.
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	16a (TJ)
Rds on (max) @ id, vgs	1,9mohm @ 8a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	900 мВ @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	5,5NC @ 4,5 В.
Взёр.	600pf @ 5V
Синла - МАКС	2,5 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	20-Uflga, CSP
ПАКЕТИВАЕТСЯ	20-WLCSP (248x1,17)
Baзowый nomer prodikta	KGF16
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	559-KGF16N05D-400WTR
Станодар	3000

Массив MOSFET 5,5 В 16a (TJ) 2,5 st (Ta) poverхnosTnoe krepleplenee 20-wlcsp (2,48x1,17)