Renesas Electronics America Inc NE3513M04-T2B-A - Renesas Electronics America Inc FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Renesas Electronics America Inc NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

  • Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
  • Номер производителя: Renesas Electronics America Inc NE3513M04-T2B-A
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: NE3513M04-T2B-A
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9700

Дополнительная цена:$0,9700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас Электроникс Америка Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология GaAs HJ-FET
Конфигурация N-канал
Частота 12 ГГц
Прирост 13 дБ
Напряжение - Тест 2 В
Текущий рейтинг (А) 60 мА
Коэффициент шума 0,65 дБ
Текущий — Тест 10 мА
Мощность — Выход 125 МВт
Напряжение - номинальное 4 В
Пакет/ключи 4-SMD, плоские выводы
Поставщик пакета оборудования 4-Супер Мини-форма
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
RF Mosfet 2 В 10 мА 12 ГГц 13 дБ 125 мВт 4-супер мини-форма