Парметр | |
---|---|
Млн | Renesas Electronics America Inc |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | HFET |
ЧastoTA | 20 Гер |
Прирост | 13,5db |
В конце | 2 V. |
Tykuщiй rerйting (amp) | 70 май |
Ш | - |
Питани - В.О. | - |
Napraheneee - оинка | 4 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 4-SMD, Плоскилили |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 4-SMD |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодадж | 3000 |