Парметр | |
---|---|
Млн | Renesas Electronics America Inc |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | HFET |
ЧastoTA | 12 Гер |
Прирост | 13 дБ |
В конце | 2 V. |
Tykuщiй rerйting (amp) | 15 май |
Ш | 0,5 дБ |
ТОК - ТЕСТР | 10 май |
Питани - В.О. | - |
Napraheneee - оинка | 4в |
PakeT / KORPUES | 4-SMD |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SMD |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0075 |
Станодар | 4000 |