Парметр | |
---|---|
Млн | Renesas Electronics America Inc |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | HFET |
ЧastoTA | 1,9 -е |
Прирост | 12 дБ |
В конце | 3,5 В. |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1A |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 50 май |
Питани - В.О. | 27 Дбм |
Napraheneee - оинка | 8в |
PakeT / KORPUES | 4-SMD, Плоскилили |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 79а |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 1000 |