| Параметры |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 55нс |
| Время доступа | 55 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-ЦОП II |
| Другие имена | 2156-R1LP0408DSB-5SI#B1 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Ренесас |
| Ряд | Р1ЛП0408Д |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 55 нс, 32-TSOP II